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近紅外成像在電子設(shè)備和半導(dǎo)體檢測(cè)中的功能
使用顯微鏡的近紅外(NIR)成像可透過(guò)厚度高達(dá)650微米的硅進(jìn)行成像,成為檢測(cè)電子設(shè)備和半導(dǎo)體的一種強(qiáng)有力的方式。微電子設(shè)備的典型故障分析方案要求能透過(guò)硅對(duì)電路圖進(jìn)行無(wú)損檢測(cè),同時(shí)保持成品的機(jī)械整合性。
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